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光刻胶体系
环化橡胶-双叠氮负胶(紫外全铺300-4590nm)→2um以上集成电路和半导体器件
酚醛(氨基)-重氮(G线436nm) → 0.5um以上集成电路
萘醌正胶(I线365nm) → 0.35-0.5um集成电路
聚对羟基苯乙烯及其衍生物(KrF248nm) → 0.12-0.25um集成电路
聚酯环族丙烯酸及共聚物(ArF193nm干法) → 65-130um集成电路( ArF193nm干法) →45nm、32nm集成电路
聚酯衍生物分子玻璃单组份材料(EUV13.5nm) → 32nm、22nm
光刻胶-氨基产品类型
氨基树脂使用方向:
聚焦于负型光阻 (>10nm)
若精密度太高达纳米等级,受限与精密度&分辨率,应寻求正型光阻小可达3nm的解决方案。
UV配方才是所有光阻剂的主角
氨基树脂仅为辅助角色用, 用于增加密着及防护效果。
需跳脱传统氨基树脂需搭配酸催化剂(ex.Cycat 4040)之框架,UV光阻配方中吸收紫外光(能量)下,用于显影的光致酸剂(酸)及后期烘烤(能量)亦达成交联效果。光酸剂目前早期为胶卷底底片显影使用, 目前技术掌握在:日本富士Fuji, 伊士曼 Eastman(柯达 Kodak), 默克Merck。
光阻剂两大趋势
干膜:减低VOC &甲醛
正型:更佳的分辨率, 精密度
| 品名 | 树脂 | 特征 | 黏度 | 外观 | 游离甲醛 | 金属离子 |
| 303 | 甲醚化三聚氰胺 | 全醚化 | >98 | 液态 | <0.1% | --- |
| 301氨基树脂在光刻胶中产品类型 | 甲醚化三聚氰胺 | 全醚化 | >98 | 液态 | <0.1% | --- |
| 300 | 甲醚化三聚氰胺 | 全醚化 | >98 | 蜡状 | <0.25 | --- |
| 3100 | 甲醚化三聚氰胺 | 低金属离子 | >98 | 蜡状 | <0.02% | Na<0.1ppm |
| 3300 | 甲醚化三聚氰胺 | 低金属离子、高单体含量 | >99 | 蜡状 | <50ppm | Na<0.1ppm |
| 1133 | 甲基丁基混合醚化三聚氰胺 | 超高柔韧性 | >98 | 液态 | <0.1% | --- |