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东莞市艾澜德新材料有限公司

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光刻胶用氨基树脂


产品详情


光刻胶体系

环化橡胶-双叠氮负胶(紫外全铺300-4590nm)→2um以上集成电路和半导体器件

酚醛(氨基)-重氮(G线436nm) → 0.5um以上集成电路

萘醌正胶(I线365nm) → 0.35-0.5um集成电路

聚对羟基苯乙烯及其衍生物(KrF248nm) → 0.12-0.25um集成电路

聚酯环族丙烯酸及共聚物(ArF193nm干法) → 65-130um集成电路( ArF193nm干法) →45nm、32nm集成电路    

聚酯衍生物分子玻璃单组份材料(EUV13.5nm) → 32nm、22nm


光刻胶-氨基产品类型

氨基树脂使用方向:

聚焦于负型光阻 (>10nm)

若精密度太高达纳米等级,受限与精密度&分辨率,应寻求正型光阻小可达3nm的解决方案。


UV配方才是所有光阻剂的主角

氨基树脂仅为辅助角色用, 用于增加密着及防护效果。

需跳脱传统氨基树脂需搭配酸催化剂(ex.Cycat 4040)之框架,UV光阻配方中吸收紫外光(能量)下,用于显影的光致酸剂(酸)及后期烘烤(能量)亦达成交联效果。光酸剂目前早期为胶卷底底片显影使用, 目前技术掌握在:日本富士Fuji,  伊士曼 Eastman(柯达 Kodak), 默克Merck。


光阻剂两大趋势

干膜:减低VOC &甲醛

正型:更佳的分辨率, 精密度

产品信息
品名树脂特征黏度外观游离甲醛金属离子
303甲醚化三聚氰胺全醚化>98液态<0.1%---
301氨基树脂在光刻胶中产品类型甲醚化三聚氰胺全醚化>98液态<0.1%---
300甲醚化三聚氰胺全醚化>98蜡状<0.25---
3100甲醚化三聚氰胺低金属离子>98蜡状<0.02%Na<0.1ppm
3300甲醚化三聚氰胺低金属离子、高单体含量>99蜡状<50ppmNa<0.1ppm
1133甲基丁基混合醚化三聚氰胺超高柔韧性>98液态<0.1%---